MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MNM9P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 62
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P2

P5MNM9P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 58
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P5

P5MNM9P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 68
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P9

P5MNN7P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 120
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 90
  • Hersteller: Eris
P5MNN7P5

P5MNP012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
P5MNP012

P5MNP012A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNP012A

P5MNP051

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 51
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 25
  • Hersteller: Eris
P5MNP051

P5MPB2P3

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.6
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -90
  • Hersteller: Eris
P5MPB2P3

P5MPB2P7

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -100
  • Hersteller: Eris
P5MPB2P7

P5MPC032

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 54
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -16
  • Hersteller: Eris
P5MPC032
Package

Configuration

MOSFET Type

VDS [V]

Rds (on) @10V [mΩ]

Rds (on) @4,5V [mΩ]

Vgs max. [V]

Vth max. [V]

Id @T=25°C [A]

Pd @T=25°C [W]

Automotive

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