MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MNM4P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 129
  • Hersteller: Eris
P5MNM4P2

P5MNM4P4

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 142
  • Hersteller: Eris
P5MNM4P4

P5MNM4P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6.7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
P5MNM4P5

P5MNM5P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7.8
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 70
  • Hersteller: Eris
P5MNM5P5

P5MNM5P5A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 103
  • Hersteller: Eris
P5MNM5P5A

P5MNM6P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 110
  • Hersteller: Eris
P5MNM6P0

P5MNM6P0A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 95
  • Hersteller: Eris
P5MNM6P0A

P5MNM7P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11.2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 65
  • Hersteller: Eris
P5MNM7P2

P5MNM7P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 10.4
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 103
  • Hersteller: Eris
P5MNM7P6

P5MNM8P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 91
  • Hersteller: Eris
P5MNM8P0

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