MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

Es werden 10 von 393 Produkten angezeigt.

P5MNG8P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 75
  • Hersteller: Eris
P5MNG8P5

P5MNK012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 82
  • Hersteller: Eris
P5MNK012

P5MNK3P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6.2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNK3P9

P5MNK4P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 130
  • Hersteller: Eris
P5MNK4P0

P5MNK5P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 85
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNK5P6

P5MNK7P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P5MNK7P2

P5MNM015

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 15
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 25
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 41
  • Hersteller: Eris
P5MNM015

P5MNM020

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
P5MNM020

P5MNM020A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 25
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
P5MNM020A

P5MNM3P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5.1
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 140
  • Hersteller: Eris
P5MNM3P6
Package

Configuration

MOSFET Type

VDS [V]

Rds (on) @10V [mΩ]

Rds (on) @4,5V [mΩ]

Vgs max. [V]

Vth max. [V]

Id @T=25°C [A]

Pd @T=25°C [W]

Automotive

Kontakt

endrich steht für den Design-In-Vertrieb hochwertiger elektronischer Bauelemente. Wir legen großen Wert auf Qualität und Zuverlässigkeit. Deshalb arbeiten wir sehr eng mit unseren Lieferanten zusammen, um sicherzustellen, dass unsere Produkte den höchsten Standards entsprechen. Unser erfahrenes Team steht Ihnen jederzeit zur Seite und berät Sie gerne bei der Auswahl der passenden Komponenten für Ihre Anforderungen.

Ihr Ansprechpartner

Mike Kiraly

Für alle weiteren Anfragen

Kontakt