MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MPC8P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -60
  • Hersteller: Eris
P5MPC8P5

P5MPD5P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -85
  • Hersteller: Eris
P5MPD5P8

P5MPG040

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -28.8
  • Hersteller: Eris
P5MPG040

P5MPG085

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 101
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -14.4
  • Hersteller: Eris
P5MPG085

P5MPG8P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -72
  • Hersteller: Eris
P5MPG8P6

P5MPM050

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -8
  • Hersteller: Eris
P5MPM050

P5MPM052

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 62
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -50
  • Hersteller: Eris
P5MPM052

P6MNC4P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,5 / 4,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14,5 / 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43 / 85
  • Hersteller: Eris
P6MNC4P2

P6MNC6P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9 / 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13 / 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 55 / 80
  • Hersteller: Eris
P6MNC6P0

P6MNC9P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P6MNC9P0

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