MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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TTMNB300

  • Package: SOT-563
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TTMNB300

TUMBB350

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 20 / -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 350 / 600
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 350
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,72 / -0,53
  • Hersteller: Eris
TUMBB350

TUMNB300

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TUMNB300

TUMNC450

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 450
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TUMNC450

TUMNF16H

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.36
  • Hersteller: Eris
TUMNF16H

TUMNG30H

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TUMNG30H

TVMNB220

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 220
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.7
  • Hersteller: Eris
TVMNB220

TVMNB350

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 350
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.5
  • Hersteller: Eris
TVMNB350

TVMNC560

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 560
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0.4
  • Hersteller: Eris
TVMNC560

TVMNG30H

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TVMNG30H

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