MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

Es werden 10 von 393 Produkten angezeigt.

TNMNM60H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNM60H

TNMPB021

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 21
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -7
  • Hersteller: Eris
TNMPB021

TNMPB033

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 33
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -5.8
  • Hersteller: Eris
TNMPB033

TNMPB055

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: -4
  • Hersteller: Eris
TNMPB055

TNMPB065

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 65
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -4.1
  • Hersteller: Eris
TNMPB065

TNMPB078

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 78
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 85
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -3
  • Hersteller: Eris
TNMPB078

TNMPB165

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 165
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -2.3
  • Hersteller: Eris
TNMPB165

TNMPB460

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 460
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -0.64
  • Hersteller: Eris
TNMPB460

TNMPC032

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 38
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -4.8
  • Hersteller: Eris
TNMPC032

TNMPC032A

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 54
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -12
  • Hersteller: Eris
TNMPC032A
Package

Configuration

MOSFET Type

VDS [V]

Rds (on) @10V [mΩ]

Rds (on) @4,5V [mΩ]

Vgs max. [V]

Vth max. [V]

Id @T=25°C [A]

Pd @T=25°C [W]

Automotive

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