MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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TNMPC055

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 55
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 85
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -4.1
  • Hersteller: Eris
TNMPC055

TNMPC090

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 90
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 140
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -3.3
  • Hersteller: Eris
TNMPC090

TNMPG114

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 114
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 130
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2.4
  • Hersteller: Eris
TNMPG114

TNMPG200

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 200
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 250
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2.8
  • Hersteller: Eris
TNMPG200

TNMPM350

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 350
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 400
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -3
  • Hersteller: Eris
TNMPM350

TNMPM650

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 650
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 700
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -0.9
  • Hersteller: Eris
TNMPM650

TPMNB080

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 80
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 2
  • Hersteller: Eris
TPMNB080

TPMNB250

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 250
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TPMNB250

TPMNB300

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0.8
  • Hersteller: Eris
TPMNB300

TPMNC035

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 35
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 46
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 1.8
  • Hersteller: Eris
TPMNC035

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