MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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T4SNAL028

  • Package: TO-247-4L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 28
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 114
  • Hersteller: Eris
T4SNAL028

T4SNAL052

  • Package: TO-247-4L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 63
  • Hersteller: Eris
T4SNAL052

T4SNAL100

  • Package: TO-247-4L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
T4SNAL100

TKMNG060

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 60
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 70
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6.8
  • Hersteller: Eris
TKMNG060

TKMNG075

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 75
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TKMNG075

TKMNM047

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
TKMNM047

TKMNM095

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 95
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 110
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6.5
  • Hersteller: Eris
TKMNM095

TKMPG105

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -3.2
  • Hersteller: Eris
TKMPG105

TKMPM300

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 300
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 340
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -8.2
  • Hersteller: Eris
TKMPM300

TLMNB019

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 19
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 6.7
  • Hersteller: Eris
TLMNB019

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