MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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TLMPB160

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 160
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -2.5
  • Hersteller: Eris
TLMPB160

TLMPC045

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 45
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 56
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -4.6
  • Hersteller: Eris
TLMPC045

TLMPC055

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 55
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 85
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -4.1
  • Hersteller: Eris
TLMPC055

TLMPD068

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 68
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 100
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2.9
  • Hersteller: Eris
TLMPD068

TLMPG40HA

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5500
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -0.5
  • Hersteller: Eris
TLMPG40HA

TMMBB040

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 20 / -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40 /100
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 3,8 / -2,5
  • Hersteller: Eris
TMMBB040

TMMBC030

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30 / 65
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 37 / 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4 / -3
  • Hersteller: Eris
TMMBC030

TMMNC024

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 24
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 34
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6.5
  • Hersteller: Eris
TMMNC024

TMMNC028

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 28
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 32
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
TMMNC028

TMMPB085

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 85
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -3
  • Hersteller: Eris
TMMPB085

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