MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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T2MNS020

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 75
  • Hersteller: Eris
T2MNS020

T2MNS022

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 78
  • Hersteller: Eris
T2MNS022

T2MNS085

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 28
  • Hersteller: Eris
T2MNS085

T2MNS140

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 140
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
T2MNS140

T2MNT033

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 250
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 33
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
T2MNT033

T2MNT085

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 250
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 27.6
  • Hersteller: Eris
T2MNT085

T3MNS010

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
T3MNS010

T3MNT018

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 250
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
T3MNT018

T3SNAL052

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 63
  • Hersteller: Eris
T3SNAL052

T3SNAL100

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
T3SNAL100

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