MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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S8MPC9P5

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -13
  • Hersteller: Eris
S8MPC9P5

S8MPD015

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 15
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S8MPD015

S8MPD035

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 35
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -6
  • Hersteller: Eris
S8MPD035

S8MPG030

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -8.5
  • Hersteller: Eris
S8MPG030

S8MPG072

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 72
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -3.3
  • Hersteller: Eris
S8MPG072

S8MPG105

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -4
  • Hersteller: Eris
S8MPG105

S9MNB022

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
S9MNB022

S9MPA021

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 21.1
  • VGS max, [V]: ±16
  • ID @T=25°C [A]: -8
  • Hersteller: Eris
S9MPA021

S9MPB016

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -11
  • Hersteller: Eris
S9MPB016

S9MPC016

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S9MPC016
Package

Configuration

MOSFET Type

VDS [V]

Rds (on) @10V [mΩ]

Rds (on) @4,5V [mΩ]

Vgs max. [V]

Vth max. [V]

Id @T=25°C [A]

Pd @T=25°C [W]

Automotive

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