Schottky Dioden/Gleichrichter (SiC)

Schottky Dioden/Gleichrichter besitzen eine gering kapazitive Gesamtladung, wodurch Schaltverluste reduziert und gleichzeitig ein schneller Schaltvorgang ermöglicht wird. Schottky Dioden auf Siliziumkarbid- (SiC-) Basis zeichnen sich im Gegensatz zu Silizium (Si) basierten Dioden mit kurzer Erholzeit (fast recovery), bei denen die Sperrzeit (reverse recovery time) mit der Temperatur ansteigt, durch konstante Eigenschaften aus, was zu einer besseren Leistung führt.

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ESIC0606S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 600 V
  • IF [A]: 6 A
  • IFSM max. [A]: 75 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 26 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,7 V
  • Hersteller: Eris
ESIC0606S

ESIC08065S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 8 A
  • IFSM max. [A]: 56 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 30 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC08065S

ESIC10065S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 60 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 36 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC10065S

ESIC10120S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 1.200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 60 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 56,5 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC10120S

ESIC20065S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 20 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 56 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC20065S

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