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Schottky Dioden/Gleichrichter (SiC)
Schottky Dioden/Gleichrichter besitzen eine gering kapazitive Gesamtladung, wodurch Schaltverluste reduziert und gleichzeitig ein schneller Schaltvorgang ermöglicht wird. Schottky Dioden auf Siliziumkarbid- (SiC-) Basis zeichnen sich im Gegensatz zu Silizium (Si) basierten Dioden mit kurzer Erholzeit (fast recovery), bei denen die Sperrzeit (reverse recovery time) mit der Temperatur ansteigt, durch konstante Eigenschaften aus, was zu einer besseren Leistung führt.
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