Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

NDMNC010

  • Package: DFN5X6
  • Configuration: 4 IN 1
  • MOSFET Type: N+N+N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
NDMNC010

NEMNC018

  • Package: DFN6X6
  • Configuration: 6 IN 1
  • MOSFET Type: N+N+N+N+N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 23
  • Hersteller: Eris
NEMNC018

NJMNB7P2

  • Package: DFN2X3A-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7.2
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 11
  • Hersteller: Eris
NJMNB7P2

NJMNB9P0

  • Package: DFN2X3A-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 9.5
  • Hersteller: Eris
NJMNB9P0

NKGNAB190

  • Package: DFN5X6A
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +7 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 11
  • Hersteller: Eris
NKGNAB190

NLSNAL052

  • Package: DFN8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
NLSNAL052

P3MBC011

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11 / 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 17,6 / 32
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30 / -20
  • Hersteller: Eris
P3MBC011

P3MBC013A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13 / 25
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 38
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 28 / -19,7
  • Hersteller: Eris
P3MBC013A

P3MBC020A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 75
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12 / -8
  • Hersteller: Eris
P3MBC020A

P3MNB012

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P3MNB012