Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

MBR4045CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
MBR4045CD2

MBR4050CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 50 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,8 V
  • Hersteller: Eris
MBR4050CD2

MBR4060CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,8 V
  • Hersteller: Eris
MBR4060CD2

MBR4080CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 80 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
MBR4080CD2

MBR4090CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 90 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
MBR4090CD2

N1MNB002

  • Package: DFN3.3X3.3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 50
  • Hersteller: Eris
N1MNB002

N3MNA4P3

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4.3
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 56
  • Hersteller: Eris
N3MNA4P3

N3MNB5P8

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5.8
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 56
  • Hersteller: Eris
N3MNB5P8

N3MNB8P0

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Com. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 24
  • Hersteller: Eris
N3MNB8P0

N4MNC011

  • Package: DFN3X3A
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 9
  • Hersteller: Eris
N4MNC011