Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

N5MNB6P7

  • Package: DFN2X3-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6.7
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 32
  • Hersteller: Eris
N5MNB6P7

N8MNB013

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 9.9
  • Hersteller: Eris
N8MNB013

N8MNC013

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 10
  • Hersteller: Eris
N8MNC013

N8MNC019

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 19
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
N8MNC019

N8MPB012

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -11
  • Hersteller: Eris
N8MPB012

N8MPB017

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 17
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -11.5
  • Hersteller: Eris
N8MPB017

N8MPB028

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -8.5
  • Hersteller: Eris
N8MPB028

N9MBB040A

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 20 / -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40 /100
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 5 / -4,5
  • Hersteller: Eris
N9MBB040A

N9MNB040

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 5.2
  • Hersteller: Eris
N9MNB040

N9MNC030

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
N9MNC030