MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P3MBC013A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13 / 25
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 38
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 28 / -19,7
  • Hersteller: Eris
P3MBC013A

P3MBC020A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 75
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12 / -8
  • Hersteller: Eris
P3MBC020A

P3MNB012

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P3MNB012

P3MNB022

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Com. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
P3MNB022

P3MNC010

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13.8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 38
  • Hersteller: Eris
P3MNC010

P3MNC011A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNC011A

P3MNC012

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
P3MNC012

P3MNC012A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNC012A

P3MNC013

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
P3MNC013

P3MNC018

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 25
  • Hersteller: Eris
P3MNC018

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