MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P3MNC7P2

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 54
  • Hersteller: Eris
P3MNC7P2

P3MNC8P5

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNC8P5

P3MNC8P5A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNC8P5A

P3MND013

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P3MND013

P3MND014

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P3MND014

P3MND017

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 17
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 16
  • Hersteller: Eris
P3MND017

P3MND021

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 21
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 29
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
P3MND021

P3MND6P5

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9.7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43
  • Hersteller: Eris
P3MND6P5

P3MND6P5A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
P3MND6P5A

P3MND8P5

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43
  • Hersteller: Eris
P3MND8P5

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