MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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I2MNAB25H

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2500
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 4
  • Hersteller: Eris
I2MNAB25H

I2MNAB340

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 340
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 14
  • Hersteller: Eris
I2MNAB340

I2MNAB850

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 850
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
I2MNAB850

I2MNAB900

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 900
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 10
  • Hersteller: Eris
I2MNAB900

LFMND0P7

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0.7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 455
  • Hersteller: Eris
LFMND0P7

LFMNK1P9

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 85
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 313
  • Hersteller: Eris
LFMNK1P9

LFMNM2P3

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 282
  • Hersteller: Eris
LFMNM2P3

LFSNAL052

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 63
  • Hersteller: Eris
LFSNAL052

N1MNB002

  • Package: DFN3.3X3.3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 50
  • Hersteller: Eris
N1MNB002

N3MNA4P3

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4.3
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 56
  • Hersteller: Eris
N3MNA4P3

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