MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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D1MPM400

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 400
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 420
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
D1MPM400

D2MND4P0

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 85
  • Hersteller: Eris
D2MND4P0

D2MNG022

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
D2MNG022

D2MNK3P2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4.6
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 180
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P2

D2MNK3P4

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 165
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P4

D2MNM3P4

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 175
  • Hersteller: Eris
D2MNM3P4

D2MNM3P5

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 190
  • Hersteller: Eris
D2MNM3P5

D2MNM3P9

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 110
  • Hersteller: Eris
D2MNM3P9

D2MNP7P5

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 154
  • Hersteller: Eris
D2MNP7P5

D2MNS020

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 75
  • Hersteller: Eris
D2MNS020

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