MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MNC1P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.4
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 130
  • Hersteller: Eris
P5MNC1P6

P5MNC1P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNC1P9

P5MNC2P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3.6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 85
  • Hersteller: Eris
P5MNC2P2

P5MNC2P4

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3.3
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
P5MNC2P4

P5MNC2P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3.8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 45
  • Hersteller: Eris
P5MNC2P5

P5MNC3P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3.9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6.1
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 73
  • Hersteller: Eris
P5MNC3P9

P5MNC4P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 85
  • Hersteller: Eris
P5MNC4P0

P5MNC5P1

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
P5MNC5P1

P5MNC5P5A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P5MNC5P5A

P5MNC5P5B

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P5MNC5P5B

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