MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art von Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MBC012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12 / 29
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18 / 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 23,,3 / -15,2
  • Hersteller: Eris
P5MBC012

P5MBD012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5 / 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 45
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42 / -27
  • Hersteller: Eris
P5MBD012

P5MBG040

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 40 / 70
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 45 / 105
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6,06 / -4,58
  • Hersteller: Eris
P5MBG040

P5MBM075

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 100 / -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 75 / 210
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300 / 230
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8 / -6,5
  • Hersteller: Eris
P5MBM075

P5MNC011

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P5MNC011

P5MNC012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P5MNC012

P5MNC018

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 29
  • Hersteller: Eris
P5MNC018

P5MNC0P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0.85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1.15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNC0P9

P5MNC1P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1.4
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 254
  • Hersteller: Eris
P5MNC1P0

P5MNC1P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 240
  • Hersteller: Eris
P5MNC1P2

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