Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

P3MNG020

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 33
  • Hersteller: Eris
P3MNG020

P3MNG021

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 21
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 33
  • Hersteller: Eris
P3MNG021

P3MNG6P0

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 10
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 66
  • Hersteller: Eris
P3MNG6P0

P3MNG7P2

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 65
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12.5
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 58
  • Hersteller: Eris
P3MNG7P2

P3MNM010

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10.3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNM010

P3MNM014

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 14.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNM014

P3MNM018

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNM018

P3MNM018A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNM018A

P3MNM115

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 115
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 120
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 10
  • Hersteller: Eris
P3MNM115

P3MNM9P8

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNM9P8