Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

P3MND013

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P3MND013

P3MND014

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P3MND014

P3MND017

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 17
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 16
  • Hersteller: Eris
P3MND017

P3MND021

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 21
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 29
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
P3MND021

P3MND6P5

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9.7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43
  • Hersteller: Eris
P3MND6P5

P3MND6P5A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
P3MND6P5A

P3MND8P5

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8.5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43
  • Hersteller: Eris
P3MND8P5

P3MND9P0

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
P3MND9P0

P3MNG012

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNG012

P3MNG015

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 15
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 19
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
P3MNG015