FLASH

Parallel
Eigenschaften

  • Flash Speichergröße: 512 kb … 256 Mb
  • Organisation: x8 und x16
  • Niedriger Bereitschafts- und Betriebsstrom
  • Schnelle Zugriffszeit: 45 ns, 55 ns, 70 ns
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 … +85°C
  • Niedrige Versorgungsspannung: 1,8 V / 3,3 V
  • Flashes mit sehr kleinen Sektoren (Pages 128/256-Byte)
  • Schreiben und Lesen zur gleichen Zeit
  • Boot Block über Softwarebefehl
  • Alle Gehäusevarianten lieferbar


SPI
Eigenschaften

  • Low Power serial FLASH: 512Kb bis 256Mb
  • Organisation: SPI bus
  • sehr niedriger Bereitschafts- und Betriebsstrom
  • schnelle Zugriffszeit: 25, 50, 75 und 100MHz
  • industrieller Temperaturbereich: -40 … +85°C
  • niedrige Versorgungsspannung: 1,8 V, 3,3 V
  • lieferbare Gehäusevarianten: SOIC-8, WSON-8

Es werden 1 von 311 Produkten angezeigt.

GD9FU8GxE3A

  • Memory Size [Mb]: 8000
  • Type: Parallel NAND Flash
  • Organization: x8/x16
  • Vcc [V]: 3 V
  • Temperature Range [°C]: -40 °C ... 85 °C
  • Hersteller: GigaDevice
GD9FU8GxE3A
Type

Memory Size [MBit]

Package

Vcc [V]

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