Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

EBRP60L45FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 60 A
  • IFSM max. [A]: 300 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,53 V
  • Hersteller: Eris
EBRP60L45FCT

EBRP8300FST

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 8 A
  • IFSM max. [A]: 120 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,92 V
  • Hersteller: Eris
EBRP8300FST

EBRP8L45B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 8 A
  • IFSM max. [A]: 125 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,53 V
  • Hersteller: Eris
EBRP8L45B

EBRP8L50B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 50 V
  • IF [A]: 8 A
  • IFSM max. [A]: 125 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,53 V
  • Hersteller: Eris
EBRP8L50B

EBRT10100SD

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,67 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10100SD

EBRT10E100B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,67 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100B

EBRT10E100C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100C

EBRT10E100CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100CT

EBRT10E100D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,67 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100D

EBRT10E100FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E100FCT