Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

EBRP10L250FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 250 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,9 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L250FCT

EBRP10L300CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,92 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L300CD2

EBRP10L300CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,92 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L300CT

EBRP10L300D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,9 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L300D

EBRP10L300FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,92 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L300FCT

EBRP10L45C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,47 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L45C

EBRP10L45D

  • Package: DO-201AD
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,47 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L45D

EBRP10L45T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,47 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L45T

EBRP10L50C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 50 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,47 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L50C

EBRP10L50T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 50 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,47 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10L50T