Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2541 Produkten angezeigt.

ESIC05120SD

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • VRRM [V]: 1.200 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 36 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,7 V
  • Hersteller: Eris
ESIC05120SD

ESIC06065S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 6 A
  • IFSM max. [A]: 42 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 23 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC06065S

ESIC06065SF

  • Package: ITO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 6 A
  • IFSM max. [A]: 40 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • QC typ. [nC]: 23 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,7 V
  • Hersteller: Eris
ESIC06065SF

ESIC0606S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 600 V
  • IF [A]: 6 A
  • IFSM max. [A]: 75 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 26 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,7 V
  • Hersteller: Eris
ESIC0606S

ESIC08065S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 8 A
  • IFSM max. [A]: 56 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 30 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC08065S

ESIC10065S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 60 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 36 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC10065S

ESIC10120S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 1.200 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 60 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 56,5 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC10120S

ESIC20065S

  • Package: TO-220AC
  • VRRM [V]: 650 V
  • IF [A]: 20 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 100 μA
  • QC typ. [nC]: 56 nC
  • VF @ IF max. [V]: 1,8 V
  • Hersteller: Eris
ESIC20065S

I2MNAA190

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 600
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 190
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 13
  • Hersteller: Eris
I2MNAA190

I2MNAA380

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 600
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 380
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 9.1
  • Hersteller: Eris
I2MNAA380